真空腔室Ф246×228mm,304優質不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優成
真空規全量程真空規,上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統PLC+觸摸屏智能控制系統1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調,旋轉:0-20r/min可調,可加熱至300℃
膜厚監控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設備機架機電一體化
預留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
靶材通常指用于某種實驗或應用中,作為靶子或目標的材料。在不同的領域,靶材的具體含義和用途可能略有不同:
1. **物理和粒子物理學**:靶材可以是用于粒子碰撞實驗中的物質,粒子通過撞擊靶材產生反應,以研究基本粒子及其相互作用。
2. **光譜學**:在光源或激光實驗中,靶材可能用于激發或產生特定的光譜信號。
3. **材料科學**:靶材還可以用于薄膜沉積技術(如磁控濺射),在該過程中靶材被靶向發射以形成薄膜。
4. **激光加工**:靶材亦可用于激光打標、切割等加工方法,通過激光光束對靶材進行作用。
您是否有興趣了解某一特定領域的靶材?
磁控濺射鍍膜機是一種用于薄膜沉積的設備,廣泛應用于電子、光學、太陽能、LED等領域。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過濺射技術,將靶材表面的原子或分子激發并沉積在基材表面,從而形成薄膜。可以沉積金屬、絕緣體和半導體等多種材料。
2. **膜層均勻性調控**:通過調整濺射參數(如氣體流量、功率、沉積時間等),可以控制薄膜的厚度和均勻性,滿足不同應用的要求。
3. **材料性質優化**:可以通過改變靶材的種類、沉積環境等方式,調節薄膜的物理和化學性質,如電導率、光學透過率等。
4. **多層膜沉積**:可以實現多層膜的交替沉積,滿足復雜器件的需求,比如光學濾光片、傳感器等。
5. **真空環境**:在真空條件下進行沉積,可以減少膜層缺陷,提高膜層的質量及其性能。
6. **可控厚度及成分**:通過控制濺射時間和功率,可以實現對膜層厚度及化學成分的準確調控,適用于應用需求。
7. **適應性強**:可以使用多種靶材和基材,廣泛應用于不同領域,包括電子器件、光電材料、裝飾性涂層等。
磁控濺射鍍膜機因其優越的沉積過程和膜層質量,在現代材料科學和工程中占有重要地位。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結構,常用于質譜分析和表面分析技術,如時間飛行質譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續處理做好準備。
4. **再結晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態,如增加薄膜的粘附力、改善光學性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區域,形成所需的圖案和結構。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學、光學或機械性質。
離子濺射儀在材料科學、微電子、納米技術等領域有著廣泛的應用。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術,具有以下幾個特點:
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產生率,能夠實現較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實現均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風險。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術,磁控濺射可以在相對較低的溫度下進行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠實現多種材料的復合沉積,包括金屬、絕緣體和半導體等,實現材料的多樣性。
6. **可控性強**:沉積過程中的參數(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質有較大影響,因此可以通過控制這些參數來調節薄膜的厚度和質量。
7. **環保性**:相較于某些化學氣相沉積(CVD)技術,磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環境友好。
這些特點使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領域得到了廣泛應用。

磁控濺射是一種廣泛應用于薄膜沉積的技術,主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導體材料。其功能和優勢包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質量優良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強**:通過調節濺射參數(如氣壓、電源功率、磁場強度等),可以控制薄膜的厚度和性質。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術相比,磁控濺射通??梢栽谳^低溫度下進行,這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場增強離子化過程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實現大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應用。
磁控濺射廣泛應用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護涂層等領域。
濺射靶(Sputter Gun)主要用于物相沉積(PVD)技術中的薄膜生長。其適用范圍包括但不限于以下幾個領域:
1. **半導體制造**:用于沉積金屬、氧化物等材料,以制作電子器件中的導電層和絕緣層。
2. **光學涂層**:在光學設備中應用,如鏡頭、濾光片等,增加其反射、透射或抗反射性能。
3. **太陽能電池**:用于沉積薄膜材料,以提高光電轉換效率。
4. **硬涂層**:在工具、機械零部件上沉積硬質涂層,提升耐磨性和耐腐蝕性。
5. **裝飾性涂層**:在產品表面沉積金屬或合成材料涂層,提升美觀和防護性能。
6. **磁記錄媒體**:用于制造磁盤和磁帶等數據存儲介質。
7. **生物醫學應用**:在器械及生物材料上沉積涂層,改善其生物相容性和性能。
濺射靶因其能夠沉積均勻、致密的薄膜,以及適用多種材料,廣泛應用于現代材料科學與工程領域。
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