真空腔室Ф246×228mm，304優質不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵，北儀優成
真空規全量程真空規，上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支（含靶擋板）
濺射電源500W直流電源1臺，300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統PLC+觸摸屏智能控制系統1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm，電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm，電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm，高度：60～120mm可調，旋轉：0-20r/min可調，可加熱至300℃
膜厚監控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭，精度0.1?（選配）
真空管路波紋管、真空管道等1套
設備機架機電一體化
預留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射（Magnetron Sputtering）是一種常用的物相沉積（PVD）技術，廣泛應用于薄膜材料的制備。它主要利用高能離子轟擊靶材，使靶材原子或分子脫離并沉積到基材表面，形成薄膜。
磁控濺射的基本原理如下：
1. **離子源**：在氣體氬氣中產生等離子體，通常在真空條件下進行。通過施加電壓，氬氣原子被電離，形成帶正電的氬離子。
2. **靶材轟擊**：生成的氬離子被加速，轟擊靶材表面，使靶材上的原子以濺射的方式逸出。
3. **磁場的作用**：在靶材附近施加磁場，產生閉合的磁力線，這樣可以有效地延長離子的停留時間，增強了等離子體的密度，提高了濺射效率。
4. **薄膜沉積**：被濺射出來的靶材原子在真空中遷移，終沉積在基材表面，形成所需的薄膜。
磁控濺射技術具有許多優點，比如沉積速率高、膜層均勻性好、粘附性強等。此外，它還能夠沉積多種材料，包括金屬、合金、絕緣體和半導體等，因此在光電子、微電子、光學涂層等領域有著廣泛的應用。
離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設備，主要功能包括：
1. **材料沉積**：可以用于在基材表面上沉積薄膜，常見于半導體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**：通過濺射過程，可以分析材料的成分和結構，常用于質譜分析和表面分析技術，如時間飛行質譜（TOF-MS）。
3. **清潔和去除涂層**：可以去除材料表面的污染物或舊涂層，為后續處理做好準備。
4. **再結晶和表面改性**：可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態，如增加薄膜的粘附力、改善光學性能等。
5. **刻蝕**：在微電子工藝中，用于刻蝕特定區域，形成所需的圖案和結構。
6. **離子 implantation**：將離子注入材料中，以改變其電學、光學或機械性質。
離子濺射儀在材料科學、微電子、納米技術等領域有著廣泛的應用。
濺射靶是一種用于薄膜沉積技術的設備，廣泛應用于物理、材料科學和半導體工業。其主要功能包括：
1. **物質沉積**：通過濺射技術將靶材（如金屬、合金或氧化物）中的原子或分子打出，并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**：濺射靶能夠在較大的面積上實現均勻的薄膜沉積，這對許多應用至關重要。
3. **控制膜厚度**：通過調整濺射時間、功率和氣氛等參數，可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**：能夠處理多種不同類型的靶材，適用于不同的應用需求。
5. **低溫沉積**：濺射過程通常在較低溫度下進行，因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**：濺射技術可制作高致密性、低缺陷的薄膜，適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**：有些濺射靶可以實現大面積的一次性沉積，適合工業化生產。
8. **功能薄膜制備**：可以用于制備功能性薄膜，如透明導電氧化物（TCO）、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術進步與材料科學的發展密切相關，對推動新材料的研究和應用起到了重要作用。
靶材通常是在物理、化學和材料科學等領域中使用的一種材料，主要具有以下功能：
1. **靶向作用**：在粒子物理實驗中，靶材可用于吸收入射粒子并產生可觀測的反應，如在粒子加速器中用作靶。
2. **材料沉積**：在薄膜沉積技術中，靶材用于將材料蒸發或濺射到基底上，形成薄膜。這在電子器件、光學涂層等應用中重要。
3. **反應介質**：在化學反應中，靶材可以作為反應物，產生相應的化學反應或物理變化。
4. **能量傳輸**：靶材能夠接收入射粒子的能量并將其轉化為其他形式的能量，或以其他方式傳遞能量。
5. **示蹤和檢測**：在放射性同位素研究中，靶材可以用作示蹤劑，幫助檢測和分析現象。
總之，靶材在科學研究和工業應用中扮演著重要的角色，其具體功能根據應用場景的不同而有所差異。
磁控濺射是一種廣泛應用于薄膜沉積的技術，主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導體材料。其功能和優勢包括：
1. **量薄膜**：磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質量優良的薄膜，適用于材料，包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強**：通過調節濺射參數（如氣壓、電源功率、磁場強度等），可以控制薄膜的厚度和性質。
3. **低溫沉積**：與其他沉積技術相比，磁控濺射通常可以在較低溫度下進行，這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**：可以在不同類型的基材上沉積材料，適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**：由于利用了磁場增強離子化過程，磁控濺射的沉積速率通常較高，能夠提高生產效率。
6. **良好的附著力**：沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力，適合用于多種應用。
7. **均勻性和厚度控制**：可以實現大面積的均勻沉積，適用于需要大尺寸薄膜的應用。
磁控濺射廣泛應用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護涂層等領域。
靶材的適用范圍主要取決于其材料特性和應用領域。以下是一些常見的靶材及其適用范圍：
1. **金屬靶材**：常用于沉積和涂層技術，如磁控濺射、物相沉積（PVD）等。可以用于制造半導體、光電器件及表面處理等。
2. **陶瓷靶材**：通常用于高溫應用和特殊電子器件的制造，具有良好的耐腐蝕性和耐高溫性能。
3. **復合材料靶材**：用于需要輕量化和高強度的應用，如、汽車工業等。
4. **聚合物靶材**：適用于某些特殊的涂層和薄膜技術，常用于電子產品和光學設備中。
5. **稀土金屬靶材**：應用于特殊磁性材料和激光器的制造。
6. **生物靶材**：在生物醫學領域中使用，用于制造生物相容性材料和藥物載體。
靶材的選擇不僅影響終產品的性能，還會對生產工藝和成本產生影響。因此，在選擇靶材時，需根據具體的應用需求進行綜合考慮。
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