真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè)
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
小型磁控濺射鍍膜機(jī)是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于光電、電子、材料科學(xué)等領(lǐng)域。該設(shè)備主要通過磁控濺射技術(shù),將靶材的原子或分子打入氣相環(huán)境中,從而在基材表面形成薄膜。
### 主要特點(diǎn):
1. **緊湊型設(shè)計(jì)**:適合實(shí)驗(yàn)室和小規(guī)模生產(chǎn)使用,節(jié)省空間。
2. **高沉積速率**:能夠快速形成薄膜,提高生產(chǎn)效率。
3. **均勻性好**:提供均勻的薄膜質(zhì)量,適合高精度要求的應(yīng)用。
4. **可調(diào)參數(shù)**:可以調(diào)節(jié)氣體流量、功率、沉積時(shí)間等參數(shù),以滿足不同材料和薄膜厚度的需求。
5. **多種靶材支持**:可兼容多種靶材,如金屬、合金、氧化物等,應(yīng)用范圍廣泛。
### 應(yīng)用領(lǐng)域:
- **電子元件**:用于制作電路板、傳感器等。
- **光學(xué)涂層**:用于鏡頭、顯示器等光學(xué)產(chǎn)品的防反射或增強(qiáng)膜。
- **裝飾性薄膜**:用于產(chǎn)品的外觀提升。
### 操作注意事項(xiàng):
- 確保室內(nèi)通風(fēng)良好,避免氣體泄漏。
- 操作人員需佩戴相關(guān)防護(hù)裝備。
- 定期檢查設(shè)備狀態(tài),保持良好的工作環(huán)境。
如果您有更具體的問題或需求,可以提供更多信息,我會盡力幫助您。
濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時(shí)間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進(jìn)行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實(shí)現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進(jìn)步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對推動新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。

磁控濺射是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的技術(shù),主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料。其功能和優(yōu)勢包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質(zhì)量優(yōu)良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強(qiáng)**:通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)(如氣壓、電源功率、磁場強(qiáng)度等),可以控制薄膜的厚度和性質(zhì)。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術(shù)相比,磁控濺射通常可以在較低溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場增強(qiáng)離子化過程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產(chǎn)效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應(yīng)用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實(shí)現(xiàn)大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應(yīng)用。
磁控濺射廣泛應(yīng)用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護(hù)涂層等領(lǐng)域。

樣品臺通常用于科學(xué)實(shí)驗(yàn)、顯微鏡觀察及工業(yè)測試等領(lǐng)域,其主要功能包括:
1. **支撐樣品**:樣品臺提供一個(gè)穩(wěn)定的表面,用于放置和支撐待觀察或測試的樣品。
2. **調(diào)整位置**:許多樣品臺具有可調(diào)節(jié)的機(jī)制,允許用戶定位樣品,以便于觀察和分析。
3. **光學(xué)觀察**:在顯微鏡等光學(xué)設(shè)備中,樣品臺能夠在光束的照射下,讓研究人員清晰觀察樣品的細(xì)節(jié)。
4. **溫度控制**:一些樣品臺具有溫控功能,可以在特定的溫度條件下實(shí)驗(yàn),適用于生物樣品的觀測。
5. **樣品固定**:樣品臺上通常會配備夾具或黏合劑,以確保樣品在觀察或測試過程中移動。
6. **兼容性**:許多樣品臺設(shè)計(jì)為能夠與不同類型的設(shè)備(如顯微鏡、光譜儀等)兼容,便于科學(xué)研究。
7. **數(shù)據(jù)記錄**:某些樣品臺配備傳感器,可以實(shí)時(shí)記錄樣品的變化,便于后續(xù)分析。
以上是樣品臺的一些主要功能,具體功能可能根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域和設(shè)備類型而有所不同。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時(shí)間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。其適用范圍包括:
1. **半導(dǎo)體制造**:用于沉積導(dǎo)電、絕緣和半導(dǎo)體材料的薄膜,如鋁、銅、氧化硅和氮化硅等。
2. **光電器件**:在制造光電元件(如太陽能電池、LED)的過程中,用于沉積透明導(dǎo)電氧化物(如ITO)。
3. **裝飾涂層**:用于金屬或陶瓷表面的裝飾性和保護(hù)性涂層,如金屬鍍層和顏色層。
4. **硬質(zhì)涂層**:在工具和機(jī)械部件上沉積硬質(zhì)涂層以提高耐磨性和硬度。
5. **磁性材料**:沉積高性能磁性薄膜,廣泛應(yīng)用于磁存儲器件和傳感器。
6. **醫(yī)用材料**:用于生物材料的開發(fā),如藥物釋放系統(tǒng)和生物相容性涂層。
7. **微電子器件**:在MEMS和NEMS器件制造中,形成關(guān)鍵的功能薄膜。
磁控濺射因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力和廣泛的材料適用性,成為許多高科技領(lǐng)域中重要的薄膜沉積技術(shù)。
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