真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機架機電一體化
預留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
濺射靶是一種用于材料科學和薄膜沉積的設(shè)備。其工作原理是利用高能粒子轟擊靶材,使得靶材表面原子或分子飛出并沉積到基底上,從而形成薄膜。這種技術(shù)在半導體、光電器件和其他電子材料的制造中得到了廣泛應(yīng)用。
濺射靶的種類有很多,包括直流濺射、射頻濺射和脈沖磁控濺射等,不同類型的濺射靶適用于不同的材料和應(yīng)用。整體來說,濺射技術(shù)具有沉積速率高、膜層均勻性好、適用材料廣泛等優(yōu)點,但也需要控制參數(shù)如氣體流量、壓力和功率等,以獲得滿意的薄膜質(zhì)量。
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磁控濺射是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的技術(shù),主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導體材料。其功能和優(yōu)勢包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質(zhì)量優(yōu)良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強**:通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)(如氣壓、電源功率、磁場強度等),可以控制薄膜的厚度和性質(zhì)。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術(shù)相比,磁控濺射通常可以在較低溫度下進行,這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場增強離子化過程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產(chǎn)效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應(yīng)用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實現(xiàn)大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應(yīng)用。
磁控濺射廣泛應(yīng)用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護涂層等領(lǐng)域。

濺射靶是一種廣泛應(yīng)用于物理、材料科學和納米技術(shù)等領(lǐng)域的設(shè)備,主要用于薄膜的沉積。其特點包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(shù)(如化學氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進行,有助于保護基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學等高性能應(yīng)用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強,適應(yīng)不同的實驗需求。
6. **搬運便捷**:許多濺射靶設(shè)計緊湊,便于實驗室使用和搬運。
7. **擴展應(yīng)用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導體制造、光電器件等領(lǐng)域。
8. **易于實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過控制濺射時間和靶材,可以輕松實現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿足復雜的功能需求。
濺射靶的這些特點使其成為現(xiàn)代材料科學和納米技術(shù)研究中的重要工具。

靶材是指在實驗或工業(yè)生產(chǎn)中用于材料分析、研究或加工的材料。靶材的特點主要包括以下幾個方面:
1. **成分純度**:靶材通常需要具備高純度,以確保實驗結(jié)果的準確性和重復性。
2. **均勻性**:靶材應(yīng)具備良好的均勻性,以避免在物理或化學反應(yīng)過程中產(chǎn)生不均勻現(xiàn)象,導致測試結(jié)果的偏差。
3. **機械性能**:靶材的機械強度、硬度和韌性等性能要求較高,以適應(yīng)不同的加工和使用條件。
4. **熱穩(wěn)定性**:靶材的熱穩(wěn)定性影響其在高溫環(huán)境下的性能,尤其是在氣相沉積等高溫工藝中,需要良好的耐熱性。
5. **反應(yīng)活性**:靶材的表面性質(zhì)和化學反應(yīng)性對材料的沉積或反應(yīng)過程有重要影響,通常需要設(shè)計出合適的表面處理以優(yōu)化性能。
6. **可加工性**:靶材需易于加工成所需的形狀和尺寸,方便在實驗和生產(chǎn)中使用。
7. **成本**:靶材的經(jīng)濟性也是一個關(guān)鍵因素,需要在性能和價格之間找到平衡。
靶材的選擇會根據(jù)具體應(yīng)用的需求有所不同,例如在半導體制造、涂層技術(shù)和材料科學研究中,靶材的特性往往會影響到終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。

磁控濺射鍍膜機是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學、太陽能、LED等領(lǐng)域。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過濺射技術(shù),將靶材表面的原子或分子激發(fā)并沉積在基材表面,從而形成薄膜。可以沉積金屬、絕緣體和半導體等多種材料。
2. **膜層均勻性調(diào)控**:通過調(diào)整濺射參數(shù)(如氣體流量、功率、沉積時間等),可以控制薄膜的厚度和均勻性,滿足不同應(yīng)用的要求。
3. **材料性質(zhì)優(yōu)化**:可以通過改變靶材的種類、沉積環(huán)境等方式,調(diào)節(jié)薄膜的物理和化學性質(zhì),如電導率、光學透過率等。
4. **多層膜沉積**:可以實現(xiàn)多層膜的交替沉積,滿足復雜器件的需求,比如光學濾光片、傳感器等。
5. **真空環(huán)境**:在真空條件下進行沉積,可以減少膜層缺陷,提高膜層的質(zhì)量及其性能。
6. **可控厚度及成分**:通過控制濺射時間和功率,可以實現(xiàn)對膜層厚度及化學成分的準確調(diào)控,適用于應(yīng)用需求。
7. **適應(yīng)性強**:可以使用多種靶材和基材,廣泛應(yīng)用于不同領(lǐng)域,包括電子器件、光電材料、裝飾性涂層等。
磁控濺射鍍膜機因其優(yōu)越的沉積過程和膜層質(zhì)量,在現(xiàn)代材料科學和工程中占有重要地位。
樣品臺是一種用于放置和支撐樣品的實驗設(shè)備,廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。以下是樣品臺的主要適用范圍:
1. **生物醫(yī)學研究**:在顯微鏡下觀察細胞、組織切片和其他生物樣品。
2. **材料科學**:用于測試金屬、聚合物、陶瓷等材料的物理和化學性質(zhì)。
3. **化學分析**:在化學實驗中放置反應(yīng)瓶、試劑和其他化學物質(zhì)。
4. **電子顯微鏡**:在電子顯微鏡中支撐和固定樣品,以便進行高分辨率觀察。
5. **光學顯微鏡**:在光學顯微鏡中觀察細小結(jié)構(gòu)、顆粒和晶體等。
6. **工業(yè)檢測**:用于質(zhì)量控制和檢測產(chǎn)品樣品,如電子元件、機械零件等。
不同類型的樣品臺(如移動樣品臺、平面樣品臺等)可以根據(jù)具體需求進行選擇,以滿足不同實驗或檢測的需求。
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