真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
濺射靶(Sputter Gun)是一種用于材料沉積的設(shè)備,主要應(yīng)用于薄膜技術(shù)和表面工程領(lǐng)域。它的工作原理是通過高能粒子(通常是離子)轟擊靶材,使靶材表面的原子或分子被激發(fā)、釋放,并沉積到襯底或其他表面上。這種方法可以用于制作薄膜,例如金屬、氧化物和氮化物薄膜。
濺射靶通常由以下幾個部分組成:
1. **靶材**:目標(biāo)材料,通常是需要沉積在襯底上的材料。
2. **氣源**:用于生成等離子體的氣體(如氬氣),使離子化的氣體能夠進(jìn)行轟擊。
3. **真空室**:避免空氣干擾和保持良好的沉積環(huán)境。
4. **電源**:提供能量以加速離子轟擊靶材。
濺射沉積技術(shù)因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力以及對材料多樣性的適應(yīng)性,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)涂層、硬質(zhì)涂層等領(lǐng)域。
小型磁控濺射鍍膜機(jī)具有以下幾個特點:
1. **占用空間小**:小型設(shè)計使其適合在實驗室或小型生產(chǎn)環(huán)境中使用,便于安裝和操作。
2. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)通過磁場增強(qiáng)離子化率,從而提高沉積速率,適合快速制備薄膜。
3. **沉積均勻性好**:由于磁場的應(yīng)用,能夠?qū)崿F(xiàn)較為均勻的薄膜沉積,提高膜層的質(zhì)量和一致性。
4. **適用材料廣泛**:能夠濺射多種金屬、合金及絕緣材料,適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
5. **可控性強(qiáng)**:可以控制沉積厚度、沉積速率和氣氛,便于實驗和生產(chǎn)中的參數(shù)調(diào)整。
6. **能**:磁控濺射技術(shù)相對傳統(tǒng)濺射技術(shù)能量損耗較小,效率較高,有助于降低生產(chǎn)成本。
7. **多靶配置**:一些小型鍍膜機(jī)支持多靶配置,能夠同時沉積不同材料,適應(yīng)復(fù)雜的薄膜制備需求。
8. **易于維護(hù)**:小型設(shè)備一般結(jié)構(gòu)簡單,便于操作和維護(hù),適合實驗室的日常使用。
9. **環(huán)境友好**:多數(shù)小型磁控濺射鍍膜機(jī)可以使用低氣壓條件下工作,減少揮發(fā)性有機(jī)物等污染。
這些特點使得小型磁控濺射鍍膜機(jī)在科研、電子、光學(xué)及功能性涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、光學(xué)及材料科學(xué)等領(lǐng)域。以下是桌面型磁控濺射鍍膜儀的一些主要特點:
1. **緊湊設(shè)計**:桌面型設(shè)計占用空間小,適合實驗室環(huán)境,有利于提高實驗室的使用效率。
2. **高均勻性**:通過磁場增強(qiáng)濺射過程,提高薄膜的均勻性和致密性,能夠在較大面積上達(dá)到一致的膜厚。
3. **可控性**:支持控制沉積參數(shù),如氣壓、濺射功率和沉積時間,便于實現(xiàn)不同材料和膜厚的調(diào)節(jié)。
4. **多種靶材選擇**:支持多種材料的靶材,能夠?qū)崿F(xiàn)金屬、氧化物、氮化物等不同類型薄膜的沉積。
5. **低溫沉積**:相較于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射通常可在較低溫度下進(jìn)行,有助于保護(hù)基材和改善膜的性能。
6. **清潔環(huán)境**:通常配備有真空系統(tǒng),能夠在相對潔凈的環(huán)境下進(jìn)行沉積,減少污染。
7. **自動化程度高**:一些型號支持自動化控制和監(jiān)測,便于實驗操作和數(shù)據(jù)記錄,提高了實驗效率和重復(fù)性。
8. **易于維護(hù)**:桌面型設(shè)備結(jié)構(gòu)相對簡單,便于日常維護(hù)和保養(yǎng),降低了運行成本。
這些特點使得桌面型磁控濺射鍍膜儀在科研和工業(yè)應(yīng)用中越來越受到歡迎。

離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造和表面分析等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要特點包括:
1. **高精度**:離子濺射儀能夠在原子或分子層級上進(jìn)行物質(zhì)的去除和沉積,具有的控制精度,適用于微米和納米級別的加工。
2. **多功能性**:該儀器可用于薄膜的沉積、表面清洗、材料分析等多種用途,適應(yīng)性強(qiáng)。
3. **層次控制**:可以實現(xiàn)對材料沉積厚度的控制,可以逐層沉積不同材料,適合制備多層膜結(jié)構(gòu)。
4. **較強(qiáng)的適應(yīng)性**:離子源與靶材的組合可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整,使得該儀器可以處理多種不同類型的材料。
5. **真空環(huán)境**:離子濺射在真空環(huán)境中進(jìn)行,有助于減少氣體分子對沉積過程的干擾,提高沉積質(zhì)量。
6. **可調(diào)節(jié)能量**:離子源可以調(diào)節(jié)離子的能量,從而控制濺射過程中的粒子能量,有利于改善沉積膜的性質(zhì)。
7. **低溫沉積**:相較于傳統(tǒng)的熱沉積方法,離子濺射在較低溫度下即可進(jìn)行,能夠減少熱敏感材料的損傷。
8. **表面改性**:通過選擇合適的離子種類和能量,可以對材料表面進(jìn)行改性,如提高表面硬度或改變表面化學(xué)性質(zhì)。
總的來說,離子濺射儀因其高精度、多功能和良好的適應(yīng)性,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中發(fā)揮著重要作用。
濺射靶(Sputter Gun)主要用于物相沉積(PVD)技術(shù)中的薄膜生長。其適用范圍包括但不限于以下幾個領(lǐng)域:
1. **半導(dǎo)體制造**:用于沉積金屬、氧化物等材料,以制作電子器件中的導(dǎo)電層和絕緣層。
2. **光學(xué)涂層**:在光學(xué)設(shè)備中應(yīng)用,如鏡頭、濾光片等,增加其反射、透射或抗反射性能。
3. **太陽能電池**:用于沉積薄膜材料,以提高光電轉(zhuǎn)換效率。
4. **硬涂層**:在工具、機(jī)械零部件上沉積硬質(zhì)涂層,提升耐磨性和耐腐蝕性。
5. **裝飾性涂層**:在產(chǎn)品表面沉積金屬或合成材料涂層,提升美觀和防護(hù)性能。
6. **磁記錄媒體**:用于制造磁盤和磁帶等數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
7. **生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用**:在器械及生物材料上沉積涂層,改善其生物相容性和性能。
濺射靶因其能夠沉積均勻、致密的薄膜,以及適用多種材料,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代材料科學(xué)與工程領(lǐng)域。
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